Σαν κρύσταλλο-υπόστρωμα θερμική αγωγιμότητα είναι φτωχοί, που επηρεάζουν τη φωτεινή αποδοτικότητα οδηγήσεων. Προκειμένου να λύσει το πρόβλημα της ψύξης LED, το μέλλον μπορεί να είναι η κύρια δομή της η κάθετη δομή των LED, LED βιομηχανία να προωθήσει την ανάπτυξη της τεχνολογίας. Σχετικά με την κάθετη δομή της LED τεχνολογίας πιστεύω ότι ακούσαμε, τα ακόλουθα μόνο από την τεχνική επιφάνεια του την εισαγωγή, για την αναφορά.
Γνωρίζουμε ότι το LED μάρκες έχουν δύο βασικές δομές, την πλευρική δομή (πλευρική) και την κάθετη δομή (κάθετη). Τα δύο ηλεκτρόδια της πλευρικής δομής τσιπ των οδηγήσεων είναι στην ίδια πλευρά από το LED chip και το ρεύμα ρέει στα στρώματα τοκετού τύπος n και p σε μια εγκάρσια κατεύθυνση. Τα δύο ηλεκτρόδια από το LED chip του κάθετου σκελετού χρησιμοποιούνται ως το δεύτερο ηλεκτρόδιο στις δύο πλευρές του το LED επιταξιακή στρώμα, έτσι ώστε σχεδόν όλα το ρεύμα ρέει κάθετα μέσα από το στρώμα επιταξιακή LED λόγω μοτίβο ηλεκτροδίου και όλα τα συν p-τύπου nfinement στρώμα, το ρεύμα, μπορεί να βελτιώσει τη δομή αεροπλάνο από το σημερινό πρόβλημα διανομής, βελτιώνουν τη φωτεινή αποδοτικότητα, αλλά επίσης μπορεί να λύσει το πρόβλημα σκίαση πόλο P, να ενισχύσει το φως LED που εκπέμπουν περιοχή.
Πρώτον, κατανοούμε την κάθετη δομή του LED τεχνολογία κατασκευής και βασικές μέθοδοι:
Κατασκευή κάθετη δομή LED chip τεχνολογία έχει τρεις βασικές μέθοδοι:
Πρώτον, η χρήση του καρβιδίου του πυριτίου υπόστρωμα ανάπτυξης GaN ταινία, το πλεονέκτημα είναι το ίδιο τρέχουσες συνθήκες λειτουργίας, φωτός εξασθένισης, μεγάλη διάρκεια ζωής, η έλλειψη υπόστρωμα πυριτίου θα απορροφούν το φως.
Δεύτερον, η χρήση των τσιπ συγκόλληση και απογύμνωση τεχνολογία κατασκευής. Το πλεονέκτημα είναι φωτός εξασθένισης, μεγάλη διάρκεια ζωής, η έλλειψη η ανάγκη να ασχοληθεί με την επιφάνεια LED για να βελτιώσει τη φωτεινή αποδοτικότητα.
Τρεις είναι η χρήση του ετερογενούς υποστρώματα όπως επιταξιακή στρώμα LED νιτρίδιο γαλλίου ανάπτυξη υπόστρωμα πυριτίου, το πλεονέκτημα είναι καλό διασκεδασμό θερμότητας, εύκολη επεξεργασία.
Υπάρχουν δύο βασικοί τρόποι για να κατασκευάσει μια κάθετη δομή τσιπ των οδηγήσεων: απολέπιση καλλιεργούνται υπόστρωμα και απογύμνωση δεν καλλιεργούνται υπόστρωμα. Την κάθετη δομή του το χάσμα-με βάση LED τσιπ που καλλιεργούνται στο υπόστρωμα ανάπτυξης αρσενικούχο γάλλιο έχει δύο δομές:
Μη-stripping υπόστρωμα ανάπτυξης αγώγιμων αρσενικούχο γάλλιο: καταθέτοντας ένα αγώγιμο DBR αντανακλαστική στρώμα σε ένα υπόστρωμα ανάπτυξης αγώγιμων αρσενικούχο γάλλιο, αυξάνεται ένα κενό-με βάση LED επιταξιακή στρώμα σε ένα αγώγιμο DBR ανακλαστικής στρώσης.
Απογύμνωση αρσενικούχο γάλλιο υπόστρωμα ανάπτυξης: πλαστικοποιημένο ανακλαστικής στρώσης στη στρώση επιταξιακή χάσμα-με βάση LED, συγκόλληση αγώγιμο υποστήριξη υπόστρωμα, Απογύμνωση αρσενικούχο γάλλιο υπόστρωμα. Το υπόστρωμα αγώγιμο υποστήριξη περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα αρσενικούχο γάλλιο, ένα υπόστρωμα φωσφίδιο γαλλίου, ένα υπόστρωμα πυριτίου, ένα μέταλλο, ένα κράμα και τα παρόμοια.
Επιπλέον, η κάθετη GaN-με βάση LED που καλλιεργούνται στο πυρίτιο έχουν δύο δομές:
Δεν ξεφλουδίζει το υπόστρωμα ανάπτυξης πυρίτιο: το μέταλλο ανακλαστικής στρώσης ή της αγώγιμο DBR ανακλαστικής στρώσης είναι από συγκολλημένα φύλλα στο υπόστρωμα ανάπτυξης αγώγιμων πυριτίου και το γάλλιο νιτρίδιο-με βάση LED επιταξιακή στρώμα καλλιεργείται στην μεταλλική ανακλαστική στρώση ή την αγώγιμο DBR ανακλαστικής στρώσης.
Φλούδα από το υπόστρωμα ανάπτυξης πυριτίου:Συγκολλημένα μεταλλικά ανακλαστικής στρώσης για το γάλλιο βάση το νιτρίδιο οδήγησε επιταξιακή στρώμα, το αγώγιμο αντανακλαστική υπόστρωμα είναι συνδεδεμένο με το μέταλλο ανακλαστικής στρώσης για να Καθαρίζουμε το υπόστρωμα ανάπτυξης πυριτίου.
Και, στη συνέχεια, μια απλή περιγραφή της κατασκευής του γαλλίου κάθετη βάση το νιτρίδιο LED διαδικασία: πλαστικοποιημένο ανακλαστικής στρώσης στην γάλλιο νιτρίδιο-με βάση LED επιταξιακή στιβάδα, της ανακλαστικής στρώσης συνδετικό υπόστρωμα αγώγιμο υποστήριξη, Απογύμνωση κρύσταλλο-ανάπτυξη υπόστρωμα. Το υπόστρωμα αγώγιμο υποστήριξη περιλαμβάνει ένα μέταλλο και ένα υπόστρωμα κράμα, ένα υπόστρωμα πυριτίου και τα παρόμοια.
Αν είναι κενό-με βάση LED, GaN-με βάση LED ή ZnO-με βάση LED κάθετη μέσω αυτού του είδους την κάθετη δομή του LED, σε σύγκριση με την παραδοσιακή δομή των LED έχει μεγαλύτερο πλεονέκτημα, η συγκεκριμένη απόδοση:
1. TΑυτός ρεύμα, όλα τα υπάρχοντα κάθετη δομή του χρώματος LED: κόκκινο LED, πράσινο LED, μπλε LED και UV LED, μπορούν να γίνουν μέσω την κάθετη δομή της τρύπας LED έχει μια μεγάλη εφαρμογή στην αγορά.
2. Αll η διαδικασία κατασκευής είναι στο τσιπ (wafer) επίπεδο.
3. Βecause εκεί είναι καμία ανάγκη να παίξει γραμμή του χρυσού με το εξωτερικό τροφοδοτικό που συνδέονται με τη χρήση του κάθετο μέσα από την κάθετη δομή της μείωσης πάχους LED τσιπ πακέτο. Ως εκ τούτου, μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την κατασκευή εξαιρετικά λεπτές συσκευές όπως οπίσθιο φωτισμό.
Hot προϊόντα:Λαμπτήρας LED προφίλ,Αλλαγή χρώματος ΚΔ 2700-6500K λαμπτήρας,Ισχύς 100W υψηλής bay,γραμμική Κρεμαστά Φωτιστικά,γραμμικό φως 130lm/W,Γραφείο Φωτιστικό LED,Γραμμή φωτισμού LED διακοσμημένα
